삼성전자,HKMG 공정 적용 고용량 DDR5 메모리 모듈 개발

삼성전자 512GB DDR5 / 사진=삼성전자 제공

 

삼성전자가 ‘하이케이 메탈게이트(High-K Metal Gate, HKMG)' 공정을 적용한 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다.

 

삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb 기반으로 8단 TSV 기술을 적용한 DDR5 152GB 모듈을 개발했다고 밝혔다.

 

DDR5는 차세대 D램 규격으로서 기존의 DDR4와 대비해 2배 이상의 성능을 내며 데이터 전송속도는 7200Mbps로 확장된다.

 

삼성전자는 이번 DDR5 모듈이 고용량‧고성능‧저전력을 구현해 차세대 컴퓨팅과 대용량 데이터 센터, 인공지능 등 첨단산업의 핵심 솔루션을 역할을 할 것으로 기대하고 있다.

 

DDR5 메모리는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누전 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현했다.

 

HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해, 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

 

또한 범용 D램 제품에는 처음으로 8단 TSV(Through Silicon VIa, 실리콘 관통 전극) 기술이 적용됐다.

 

차후에 HKMG 공정과 8단 TSV 기술이 적용된 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획이다.

 

2014년에 삼성전자는 세계 최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버에 선보였다.

 

삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 손영수 상무는 “삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다”며, “이러한 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다”고 밝혔다.